單離子注入聚焦離子束測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
單離子注入聚焦離子束測(cè)試設(shè)備量子和納米級(jí)材料工程的先進(jìn)平臺(tái)Q-One™是先進(jìn)的聚焦離子束平臺(tái)，用于先進(jìn)的器件制造和納米級(jí)材料工程。Q-One具有確定...
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜測(cè)試設(shè)備，先進(jìn)的動(dòng)態(tài)TOF-SIMS系統(tǒng)，它使用直流主束的飛行時(shí)間分析儀，創(chuàng)建了成像質(zhì)譜的新范式。直流一次離子束的使用允許快速成像和連續(xù)數(shù)據(jù)...
球磨測(cè)厚儀-測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
球磨測(cè)厚儀-測(cè)試設(shè)備控制單元自帶可編程的微處理器:速度，時(shí)間，球型，X，Y直徑，自帶LED光源，目鏡小刻度為0.02mm，自動(dòng)厚度校準(zhǔn)，工作時(shí)間范圍：1-30m...
涂層附著力檢測(cè)儀-測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
涂層附著力檢測(cè)儀-測(cè)試設(shè)備1.快速簡(jiǎn)易：壓痕并觀察壓痕效果2.高性價(jià)比：寶石探針消耗低（劃痕儀的10倍使用壽命）
摩擦學(xué)測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
摩擦學(xué)測(cè)試設(shè)備目的是滿足摩擦學(xué)的需要。為了增加機(jī)械部件的性能和可靠性，公司和大學(xué)研究越來(lái)越多的涂層和基底材料的摩擦參數(shù)和磨耗阻力。針對(duì)客戶的需求，我們開發(fā)了多種...
輪廓儀-測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
輪廓儀-測(cè)試設(shè)備為了選擇佳涂層或基底材料，客戶有必要不僅僅檢測(cè)摩擦系數(shù)，也需要檢測(cè)磨損速率。磨損速率測(cè)量可以提供可靠的結(jié)果，這可以允許客戶來(lái)決定手否樣品能夠達(dá)到...
全自動(dòng)貼片機(jī)-材料設(shè)備 參考價(jià)：面議
全自動(dòng)貼片機(jī)-材料設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)放大是持續(xù)可調(diào)的。這通過(guò)可調(diào)放大倍率達(dá)到高精度的放置器件。該款是一款堅(jiān)固并且可靠的機(jī)械設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)易，兼容性高的產(chǎn)品。
劃片機(jī)-材料設(shè)備 參考價(jià)：面議
劃片機(jī)-材料設(shè)備沿著中心線升高以便分離。薄膜層幫助元件阻攔污染或重壓。全部參數(shù)都由控制鍵盤設(shè)定。這是一款穩(wěn)定，抗振動(dòng)，和易操作的設(shè)備。
薄膜電阻及厚度測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
薄膜電阻及厚度測(cè)試設(shè)備可按照需求配置單個(gè)或多個(gè)針對(duì)不同樣品的高敏感探頭進(jìn)行測(cè)量，并通過(guò)顯示模塊輸出。檢測(cè)終輸出結(jié)果可顯示為薄膜電阻（Ohms/sq），薄膜電導(dǎo)（...
真空快速退火爐-材料設(shè)備 參考價(jià)：面議
真空快速退火爐-材料設(shè)備一般都是以紅外鹵素?zé)魹榘l(fā)熱元件，升溫速度極快，采用熱電偶測(cè)溫并采用*的PID控制，具有很高的控溫精度，快速退火爐具有真空裝置，可在多種氣...
真空快速退火爐RTP-材料設(shè)備 參考價(jià)：面議
真空快速退火爐RTP-材料設(shè)備RTA（快速熱退火）； RTO（快速熱氧化）；注入退火；擴(kuò)散；化合物半導(dǎo)體退火；滲氮；滲硅； 結(jié)晶化與致密化；
探針臺(tái)-測(cè)試設(shè)備 參考價(jià)：面議
探針臺(tái)-測(cè)試設(shè)備(Analytical Probe Station)我司代理的探針臺(tái)型號(hào)很多，有晶圓探針臺(tái)、LCD/OLED探針臺(tái)、RF探針臺(tái)、LD/PD探針臺(tái)...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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